Diplomarbeit: Webbasiertes exploratives Tutorial zur Lehrveranstaltung EIS "Funktionsweise des MOS-Transistors"
Aufgaben
Bearbeiten Sie die folgenden Aufgaben:
Sie gelangen mit dem Tip-Link an die Stelle, wo Sie ein Applet finden, um die Frage zu erforschen. Auf der Lösungsseite können Sie Ihre Antwort vergleichen.
| 1. Wie verändert sich die Struktur eines Silizium-Kristalls bei einer Temperaturerhöhung auf 300K? | Tip-Link | Lösung |
| 2. Wenn das Dioden-Dotierungsverhältnis 70% (n-dotiert) zu 30% (p-dotiert) beträgt, wohin breitet sich die Raumladungszone stärker aus? Begründen Sie Ihre Antwort. | Tip-Link | Lösung |
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3. Wie kann eine Verstärkung durch die Dimensionierung eines Transistors erreicht werden? |
Tip-Link | Lösung |
| 4. Wieso ist der Kanal beim MOS-Transistor keilförmig? | Tip-Link | Lösung |
| 5. Kann ein n-p-n-Übergang leiten? | Tip-Link | Lösung |
| 6. Wann entsteht die Inversionszone bei einem MOS-Kondensator? | Tip-Link | Lösung |
| 7. Was muß unternommen werden, um die Schwellwertspannung bei einem MOS-Kondensator zu senken? | Tip-Link | Lösung |
| 8. Wie wirkt sich der Bodyeffekt auf die Stromstärke aus? | Tip-Link | Lösung |
| 9. Wirkt sich eine Verschiebung des Dotierungsverhältnisses auf das Sperr-Verhalten des Transistors aus? | Tip-Link | Lösung |
| 10. Wie hoch ist die maximale Stromstärke I, die im Experimentiermodul "MOS-Transistor" erreicht werden kann? | Tip-Link | Lösung |
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| Es sollen im Laufe der Zeit immer neue Fragen hinzukommen, so daß es sich lohnt, mal wieder vorbeizuschauen. |
| Glossar Aufgaben Links |
Experimentiermodule: |
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