Diplomarbeit: Webbasiertes exploratives Tutorial zur Lehrveranstaltung EIS "Funktionsweise des MOS-Transistors"

Glossar


Abstraktionsebenenmodell:

6-Schichtenmodell des Hardwareentwurfs: Systemebene, algorithmische Ebene, Register-Transferebene, Gatterebene, Schalterebene und elektrische Ebene. Diese Modell gilt für digitale ICs und digitale Anwendungen.

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ALU:

Die arithmetical-logical-unit ist für mathematische Berechnungen in der Schaltung zuständig.

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Anreicherung:

Durch das Anlegen einer Spannung wird die Anzahl der freien Ladungsträger erhöht. Siehe auch Tutoriumteil: Wie funktioniert ein MOS-Kondensator?

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Design Rules:

Gestaltungsregeln, die mit Hilfe eines Lambda-Faktors, der die Strukturgröße festlegt, minimale Breiten, Abstände und Überlappungen festlegen.
z.B. 2 Lambda ist die Mindestbreite von Polysilizium

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Diffusion:

Einlagerung von Fremdatomen in einen Halbleiter, siehe auch Tutoriumteil: Was ist ein Halbleiter und was bedeutet dotieren ?

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Diffusionsofen:

Im Ofen wird der Wafer bei ca. 1000 Grad Celsius durch Gaszufuhr dotiert.

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Dimensionierung von Transistoren:

Eine Veränderung des Breiten- und Längenverhältnisses des Transistors.

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Diode:

Besteht aus zwei verschieden dotierten Bereichen und läßt nur in eine Richtung Strom hindurch. Siehe auch Tutoriumteil: Wie funktioniert eine Diode?

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Dotierung:

Durch Ionenbeschuß oder Diffusion wird die Leitfähigkeit eines Halbleiters erhöht. Siehe auch Tutoriumteil: Was ist ein Halbleiter und was bedeutet dotieren?

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Drain:

Senke, in die die Ladungsträger fließen.

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Elektronen:

negative Ladungsträger

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Elektronenbeschuß:

Durch den Beschuß mit Elektronen werden Bereiche des Halbleiters dotiert.

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Fermi-Energie:

Die Energie, die ein Elektron bei 0Kelvin maximal ereichen kann.

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Gate:

Anschluß zum Steuern des MOS-Transistors und des MOS-Kondensators.

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Halbleiter:

Ein Halbleiter ist ein Stoff, z.B Silizium, der bei 0 Kelvin (-273,15 °C) nicht leitet, weil im Leitungsband keine Elektronen vorhanden sind. Siehe auch Exkurs: Was ist ein Halbleiter und was bedeutet dotieren?

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IC:

integrated circuit = integrierter Schaltkreis

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Inversion:

Ein dotierter Bereich wird durch anlegen einer Spannung für die andere Ladung leitend, z.B. in einem p-dotierten Substrat wird ein n-leitender Kanal erzeugt. Siehe auch Tutoriumteil: Wie funktioniert ein MOS-Kondensator?

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Isolator:

Ein Stoff, der auch bei Temperaturerhöhung nicht leitet, z.B. Siliziumdioxid.

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Kondensator:

Besteht aus zwei Leiterplatten, die durch einen Isolator voneinander getrennt sind. Durch das Anlegen verschiedener Spannungen an die Platten können Ladungsträger gespeichert oder abgegeben werden. Siehe auch Tutoriumteil: Wie funktioniert ein MOS -Kondensator?

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Last-Transistor (PULL-UP):

Fungiert als Widerstand, um einen Kurzschluß zu vermeiden. Wenn der Schalttransistor leitet, besteht eine direkte Verbindung zwischen der Versorgungsspannung UDD und USS. Siehe auch Vorlesungsskript "EIS".

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Leitungsband:

Elektronen in diesem Energieband sind nicht an das Atom gebunden und stehen somit für den Ladungstransport zur Verfügung.

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Löcher:

positive Ladungsträger

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Raumladungszone:

Zone, die durch Rekombination an freien Ladungsträgern verarmt ist.

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rekombinieren:

Ein positiver und negativer Ladungsträger verbinden sich, dh. ein freies Elektron besetzt ein Loch.

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Schalttransistor (PULL-DOWN) :

Bei einem NMOS-Inverter steuert der PULL-DOWN-Transistor die Verbindung zwischen dem Ausgang und der Spannung USS. Siehe auch Vorlesungsskript "EIS".

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selbstleitend:

( engl. depletion ) Damit der Transistor sperrt, muß eine Gate-Source-Spannung angelegt werden, die über der Schwellwertspannung liegt. Siehe auch Tutoriumteil: Welche Transistor-Arten existieren?

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selbstsperrend:

( engl. enhancement ) Damit der Transistor leitet, muß eine Gate-Source-Spannung angelegt werden, die über der Schwellwertspannung liegt. Siehe auch Tutoriumteil: Welche Transistor-Arten existieren?

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Source:

Quelle, aus der die Ladungsträger fließen.

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Wafer:

Silizium-Scheiben, auf die die Schaltungen aufgebracht werden.

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Valenzband:

Elektronen in diesem Energieband sind an das Atom gebunden und können somit keine Ladung transportieren. Durch Energiezufuhr können Elektronen in das Leitungsband gehoben werden.

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Verarmungszone:

Durch Rekombination von Elektronen und Löchern entsteht eine an freien Ladungsträgern verarmte Zone. Siehe auch Tutoriumteil: Wie funktioniert ein MOS-Kondensator?

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VLSI-Entwurf:

very large scale integration: Entwurf von kleinstkomprimierten Schaltungen.

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