Bodyeffekt

U_SS1 = 0V aber U_SS2 > 0V

Bis jetzt wurde davon ausgegangen, daß die Source-Substrat-Spannung U_SS 0V beträgt. Wenn mehrere Transistoren in Reihe geschaltet werden, ist der Source-Anschluß meist nicht auf dem gleichen Potential wie das Substrat. Daher ist U_SS > 0V und es vergrößert sich die Raumladungszone an der Source. Dies hat zur Folge, daß die Schwellwertspannungen der nachfolgenden Transistoren steigen. Es gilt:

U_TH= U_TH0 + y U_SS^1/2 wobei y ungefähr 0,5 ist.

Zusätzlich verringert sich die Gate-Source-Spannung U_GS, weil an der Source ein erhöhtes Potential anliegt. Daher fällt der Kanalstrom I_DS geringer aus.

Bodyeffekt

Der Bodyeffekt ist ein Grund, weshalb meist nur einige wenige Transistoren in Reihe geschaltet werden.

Themen, die mit dem Thema MOS-Transistor eng in Zusammenhang stehen, sind:

• Kennlinien und Formeln des NMOS Transistors
• Der Bodyeffekt ( diese Seite )
• Unterschiede zwischen den MOS-Transistor-Arten

Sie erreichen diese Themen auch beim "Blättern".

Experimentiermodule:
Diode Kondensator Transistor